[发明专利]一种晶硅电池双层钝化减反结构

摘要

本发明涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d₂，折射率为n₂，上层氮化硅薄膜的厚度d₁，折射率为n₁，且d₁>d₂，n₁<n₂；由于下层氮化硅膜的折射率较大，由于自身的消光系数大，会吸收一部分的短波，同时由于双层氮化硅膜在结构上的光学匹配性优于单层氮化硅膜，从而减少了短波段的反射，沿着光入射的方向，氮化硅膜的折射率增加，膜中的Si-H键的密度呈上升趋势，折射率越大，钝化效果越好，从而实现了双层膜减反、钝化双重效果的结合。

主权项

一种晶硅电池双层膜钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片(1)表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池片(1)上方的下层氮化硅薄膜(2)及下层氮化硅薄膜(2)上方的上层氮化硅薄膜(3)，所述下层氮化硅薄膜(2)的厚度为d₂，折射率为n₂，上层氮化硅薄膜(3)的厚度d₁，折射率为n₁，且d₁>d₂，n₁<n₂。