[发明专利]一种MOCVD气路压差控制系统无效
申请号: | 201310748891.4 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103757606A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 蒲勇;徐龙权;丁杰 | 申请(专利权)人: | 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330047 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种MOCVD气路压差控制系统,包括:主载气管道,主气路管道和旁路管道,特征是:在主气路管道的前端依次安装有主气路管道质量流量控制器和压力传感器,在旁路管道的最后端安装有一个压力控制器,在主气路管道上安装有六个四通切换阀,在旁路管道上安装有六个三通切换阀,每一个四通切换阀与相对应的三通切换阀通过相应的支管连接。这样就能在主气路管道有反应气体进入后,在压力传感器、PLC、压力控制器的共同作用下,旁路管道群殴压力随时跟随主气路管道压力变化,二者始终有一个压差跟随关系。这样反应气体能够顺利切入主气路管道并运送进反应室,非反应气体切入旁路管道准备,从而达到精确控制主气路和旁路之间气体的快速平稳切换。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 气路压差 控制系统 | ||
【主权项】:
一种MOCVD气路压差控制系统,包括:主载气管道,主气路管道和旁路管道,特征是主载气管道通入H2或N2或H2、N2混合的载气,主气路管道中通入的反应气体有五种有机源:三甲基镓、三乙基镓、三甲基铝、三甲基铟、p型掺杂剂二茂镁和n型掺杂剂硅烷:SiH4;主载气管道、主气路管道和旁路管道的前端均安装有质量流量计(MFC),主载气管道、主气路管道的末端均装有常闭阀,在主气路管道的质量流量计后装有一个压力传感器(PT),在压力传感器的后面依次安装有六个四通切换阀,在旁路管道上依次安装有六个三通切换阀,每个四通切换阀和对应的三通切换阀之间连接有支管道,SiH4和五种有机源从各自源瓶中流出后分别与六个四通切换阀依次连接,可通过四通切换阀切入主气路管道,或可通过三通切换阀切入旁路管道;主载气管道的出气端通过主气路管道的常闭阀后的主载气管道三通接入主气路管道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的