[发明专利]带有绝缘埋层的高压晶体管有效
| 申请号： | 201310748915.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762232B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐大伟;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种带有绝缘埋层的高压晶体管，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一导电类型所述高压晶体管包括：第一栅极，所述器件层中具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充第一栅介质层，所述第一栅介质层的表面进一步具有一第二沟槽，所述第一栅极设置于所述第二沟槽中；源极和漏极，所述源极和漏极具有第一导电类型，且位于器件层中第一栅介质层的两侧，所述源极进一步设置在所述器件层表面的一掺杂阱中，所述掺杂阱具有第二导电类型；进一步包括第二栅极，所述掺杂阱的表面覆盖第二栅介质层，所述第二栅极设置在所述第二栅介质层的表面。本发明的优点在于提高了器件的电流驱动能力，减小导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 高压 晶体管 | ||
【主权项】：
一种带有绝缘埋层的高压晶体管，采用带有绝缘埋层的衬底，所述绝缘埋层将衬底分割成器件层和支撑层，所述器件层具有第一导电类型，所述高压晶体管包括：第一栅极，所述器件层中具有一第一沟槽，所述第一沟槽内填充第一栅介质层，所述第一栅介质层的表面进一步具有一第二沟槽，所述第一栅极设置于所述第二沟槽中；源极和漏极，所述源极和漏极具有第一导电类型，且位于器件层中第一栅介质层的两侧，所述源极进一步设置在所述器件层表面的一掺杂阱中，所述掺杂阱具有第二导电类型；其特征在于，进一步包括：第二栅极，所述掺杂阱的表面覆盖第二栅介质层，所述第二栅极设置在所述第二栅介质层的表面，所述第二栅介质层进一步延伸覆盖至器件层在源极一侧的表面和侧面，且第二栅介质层延伸部分的表面亦覆盖第二栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新傲科技股份有限公司，未经上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310748915.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
