[发明专利]具有复合栅介质的横向功率器件有效
| 申请号： | 201310749307.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762229A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐大伟;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有复合栅介质的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层表面的有源层、位于所述有源层表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极和位于所述栅电极两侧的源电极和漏电极，所述栅介质层包括位于所述源电极一侧的第一栅介质和位于所述漏电极一侧的第二栅介质，所述第一栅介质的等效栅氧厚度大于所述第二栅介质的等效栅氧厚度，所述第一栅介质与所述第二栅介质相接触。本发明的优点在于，采用复合栅介质结构可以降低开态电阻，改善器件的跨导特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 介质 横向 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种具有复合栅介质的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层表面的有源层、位于所述有源层表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极和位于所述栅电极两侧的源电极和漏电极，其特征在于，所述栅介质层包括位于所述源电极一侧的第一栅介质和位于所述漏电极一侧的第二栅介质，所述第一栅介质的等效栅氧厚度大于所述第二栅介质的等效栅氧厚度，所述第一栅介质与所述第二栅介质相接触。
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