[发明专利]一种晶硅太阳能电池新型正面电极有效
申请号: | 201310749424.3 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103700716A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 秦广飞;金保华;燕飞;汪文渊;王鹏;张建亮 | 申请(专利权)人: | 秦广飞 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 274300 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及晶硅太阳能电池领域,特别涉及一种晶硅太阳能电池新型正面电极。该晶硅太阳能电池新型正面电极,其特征是:所述新型正面电极位于晶硅电池n型面的刻槽内,为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极,以铜为基质,银与镍等作为添加元素,所述刻槽宽度d为45μm;刻槽采用激光镭射制备,所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备,制备出的新型正面电极由于物理强度提高且没有与硅本体形成合金,所以在晶硅电池片产生裂纹以后不会断开,可以继续起到收集电流的作用。本发明与银硅合金相比,可节约白银40%以上,测试采用新型电极的电池片电性能有较大提高,主要体现在开路电压和串联电阻的降低,填充因子也有所提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 新型 正面 电极 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池新型正面电极,其特征是:所述新型正面电极(1)位于晶硅电池n型面的刻槽(2)内,为Cu‑Ag‑Ni系低银导电合金电极,以铜为基质,银与镍等作为添加元素,所述刻槽(2)宽度d为45μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的