[发明专利]倒装芯片晶片级封装及其方法有效
| 申请号： | 201310749734.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915414B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | T.迈尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔德国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王洪斌,徐红燕 |
| 地址： | 德国诺*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及倒装芯片晶片级封装及其方法，其中一种电子封装包括倒装芯片部件，具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯；第二管芯，堆叠在第一管芯上；密封化合物，形成在第一管芯和第二管芯周围；一组贯穿密封剂通孔TEV，提供贯穿密封化合物至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接；和再分布层，在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组TEV。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 晶片 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种电子封装，包括：倒装芯片部件，具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯；第二管芯，堆叠在第一管芯上；密封剂，形成在第一管芯和第二管芯周围；一组贯穿密封剂通孔TEV，提供贯穿密封剂至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接；再分布层，在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组贯穿密封剂通孔TEV; 以及保护层，连续并且一致地覆盖至少背离倒装芯片基底的再分布层的表面；其中，所述第一管芯借助于凸点底部填充层耦合到所述倒装芯片基底；其中，所述电子封装还包括位于第二管芯和再分布层之间的介电层，并且所述一组贯穿密封剂通孔TEV通过钻出贯穿所述密封剂和所述介电层的孔来形成。
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