[发明专利]晶圆吹扫装置、系统及方法有效
申请号: | 201310750169.4 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752261B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 张君 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 陈振 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆吹扫装置、系统及方法,其中装置包括:包括输送装置、充气嘴、电控气动装置、控制器以及连通充气嘴和电控气动装置的气路;电控气动装置,用于在启动充气后,驱动输送装置到达预设工作位置处,使充气嘴和前开式晶圆盒的充气口对接,并向气路中提供吹扫气体;终止充气后,驱动输送装置到达预设非工作位置处。本发明提供的晶圆吹扫装置、系统及方法,通过将晶圆吹扫装置安装在现有设备装载部中,实现了在制程前或制程后对前开式晶圆盒里面晶圆灵活进行吹扫,可以手动控制,也可以自动控制,提高了生产效率和产品良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆吹扫 装置 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆吹扫装置,用于在制程前或制程后对前开式晶圆盒中的晶圆进行吹扫,其特征在于,包括输送装置、充气嘴、电控气动装置、控制器以及连通所述充气嘴和所述电控气动装置的气路;所述气路上设置有压力表和调压阀;所述压力表为可反馈读值式压力表,所述压力表用于测量所述气路中的充气压力,并将所述气路中的当前充气压力信息反馈给所述控制器;所述调压阀,用于调节所述气路中的充气压力;所述充气嘴的一端用于和前开式晶圆盒的充气口对接,另一端通过弹性连接导向装置与所述输送装置连接,所述充气嘴用于利用所述气路中的吹扫气体对所述前开式晶圆盒中的晶圆进行吹扫;所述输送装置为可反馈输送位置式输送装置,所述输送装置用于输送所述充气嘴,并将当前输送位置信息反馈给所述控制器;所述电控气动装置,用于在启动充气后,驱动所述输送装置到达预设工作位置处,使所述充气嘴和所述前开式晶圆盒的充气口对接,并向所述气路中提供所述吹扫气体;终止充气后,驱动所述输送装置到达预设非工作位置处;所述控制器,用于控制所述电控气动装置驱动所述输送装置对所述充气嘴进行输送,并控制所述电控气动装置启动充气或终止充气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310750169.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造