[发明专利]薄壁结构超声共振测厚频谱分析内插校正方法在审

专利信息
申请号: 201310750440.4 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104748704A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 谢航;肖湘;杨崇安 申请(专利权)人: 中核武汉核电运行技术股份有限公司;核动力运行研究所
主分类号: G01B17/02 分类号: G01B17/02;G06F19/00
代理公司: 核工业专利中心11007 代理人: 高尚梅
地址: 430223 湖北省武汉市东湖高*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明创造应用于超声波无损检测领域,薄壁结构超声共振测厚频谱分析内插校正方法。包括步骤1、采用超声共振法进行薄壁结构检测,获取薄壁结构的表面回波和共振回波;步骤2、对共振回波信号截取指定长度的样本进行傅里叶变换,得到频谱;步骤3、采用内插法对所述频谱进行校正;步骤4、计算壁厚度。本发明利用频谱内插校正方法,可以提高周期信号频谱频率估计精度。针对超声共振测厚信号,可以在不提高采样频率的前提下,减小共振频率的测量误差,能够减小分析误差,实现薄壁结构厚度损失的精确估计,提高分析壁厚的精度。
搜索关键词: 薄壁 结构 超声 共振 频谱 分析 内插 校正 方法
【主权项】:
一种薄壁结构超声共振测厚频谱分析内插校正方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、采用超声共振法进行薄壁结构检测,获取薄壁结构的表面回波和共振回波;步骤2、对共振回波信号截取指定长度的样本进行傅里叶变换,得到频谱;步骤3、采用内插法对所述频谱进行校正,即进行如下过程:对于步骤2中变换得到的谱线,设最高谱线的横坐标为K,横坐标K对应的频率为f=K·fs/N,其左右相邻谱线的坐标(K?1)和(K+1),则具有最大幅值的横坐标为x0=K+ΔK其中ΔK=yK+1yK+yK+1,yK+1≥yK-1-yK-1yK+yK-1,yK+1<yK-1]]>而具有最大幅值的频率点为f0=(K+ΔK)fsN]]>其中,fs为信号采样频率,N为频谱分析点数;y为纵坐标值,下标k?1、k、k+1表示横坐标位置;步骤4、计算壁厚度d,利用公式d=c2f0]]>其中c为超声速度。
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