[发明专利]采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310750549.8 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103730558B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王兵;伊晓燕;孔庆峰;刘志强;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法。该发光二极包括衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于发光二极管未经刻蚀一侧的p型GaN层上，自下而上依次包括ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和发光二极管被刻蚀一侧的台阶上。本发明提高了透明导电层的抗腐蚀能力，进而提高整个发光二极管器件的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 复合 透明 导电 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种采用复合透明导电层的发光二极管，其特征在于，包括：衬底；依次沉积于衬底上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，其中，该发光二极管一侧的p型GaN层、p型AlGaN层、多量子阱和部分的n型GaN层被刻蚀形成台阶；p型复合透明导电层，形成于所述发光二极管未经刻蚀一侧的所述p型GaN层上，呈三明治结构，自下而上依次包括：ITO透明接触层、ZnO基电流扩展层、ITO导光层，其中，ZnO基电流扩展层作为该三明治结构的主体部分，厚度最大；p型金属电极层和n型金属电极层，分别形成于所述发光二极管未经刻蚀一侧的ITO导光层上和所述发光二极管被刻蚀一侧的所述台阶上。
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