[发明专利]一种利用普通多晶刻蚀设备刻蚀沟槽的方法在审
| 申请号： | 201310750598.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752160A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王友伟 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用普通多晶刻蚀设备刻蚀沟槽的方法，包括如下步骤：（1）牺牲氧化及硬掩膜淀积；（2）光刻及硬掩膜刻蚀；（3）沟槽刻蚀及光刻胶去除；（4）去除硬掩膜及牺牲氧化层；（5）进行热修复及牺牲氧化层生长和（6）牺牲氧化层去除、清洗（7）栅氧生长。本方法在去除硬掩膜与牺牲氧化层后增加热修复与生长牺牲氧化层的步骤，用于修复刻蚀过程产生的损伤，并利用牺牲氧化将沟槽顶部及底部形貌进行圆滑处理，使后续栅氧的厚度和均匀性更好；使用本方法可以利用普通多晶硅刻蚀设备刻蚀出形貌优良，侧壁光滑及底部圆滑无棱角的沟槽，进一步保证栅氧的质量以及均匀性，产品期间稳定性得到很大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 普通 多晶 刻蚀 设备 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种利用普通多晶刻蚀设备刻蚀沟槽的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）牺牲氧化及硬掩膜淀积；（2）光刻及硬掩膜刻蚀；（3）沟槽刻蚀及光刻胶去除；（4）去除硬掩膜及牺牲氧化层；（5）栅氧生长。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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