[发明专利]生长半极性GaN厚膜的方法有效
| 申请号： | 201310750779.4 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103647008A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 羊建坤;魏同波;霍自强;张勇辉;胡强;段瑞飞;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。本发明的方法可以有效释放半极性GaN厚膜中的应力，实现高质量、大面积半极性GaN厚膜异质外延。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 极性 gan 方法 | ||
【主权项】：
一种生长半极性GaN厚膜的方法，其特征在于，包括：步骤A：在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在所述GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在所述TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在依次沉积半极性GaN模板层、TiN掩膜层和自组装纳米球阵列掩膜层的衬底上继续外延生长半极性GaN厚膜。
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