[发明专利]一种有机器件薄膜封装方法及装置

摘要

本发明涉及有机电子学技术领域，具体涉及一种有机器件薄膜封装方法及装置。本发明采用PECVD方法，向PECVD腔室通入脉冲流量的有机硅前驱体，分别在氧气和/或氮气过量、适量以及无氧气和氮气的环境下，在有机器件的表面沉积无明显界限的无机薄膜、过渡层薄膜和有机薄膜。本发明提高了无机薄膜的质量，从而提高有机器件封装水氧阻挡性能。

主权项

一种有机器件薄膜封装方法，其特征在于，采用PECVD的沉积方法对有机器件进行薄膜封装，包括如下步骤：(1)向PECVD腔室中通入脉冲流量的有机硅前驱体，在氧气和/或氮气过量的环境下在所述有机器件表面沉积无机薄膜；(2)向所述PECVD腔室中通入脉冲流量的有机硅前驱体，在氧气和/或氮气适量的环境下在所述有机器件表面沉积介于无机薄膜和有机薄膜之间的过渡层薄膜；(3)向所述PECVD腔室中通入固定流量的有机硅前驱体，在无氧气和氮气的环境下在所述有机器件表面沉积有机薄膜；(4)重复所述步骤(1)～步骤(3)2～10次；所述步骤(1)～(3)中分别还包括：向所述PECVD腔室中通入固定流量的辅助气体，用于提高氧气和/或氮气离化率；所述步骤(1)中的无机薄膜厚度为1nm～5μm，所述步骤(2)中的过渡层薄膜厚度为1nm～5μm，所述步骤(3)中的有机薄膜厚度为1nm～5μm；所述步骤(2)中氧气和/或氮气的量是连续变化的，即从沉积无机薄膜时氧气和/或氮气量渐变到沉积有机薄膜时无氧气和/或氮气，在所述有机器件表面形成无明显界面的无机薄膜、过渡层薄膜和有机薄膜的交替结构。