[发明专利]反应腔室及等离子体加工设备在审
申请号: | 201310750911.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN104746043A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 张彦召;陈鹏;佘清 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;H05H1/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备,反应腔室包括套置在反应腔室的侧壁内侧的法拉第屏蔽件、绝缘环和采用不导磁的金属材料制成的遮挡环,法拉第屏蔽件叠置在绝缘环上,沿法拉第屏蔽件的周向间隔设置有至少一条开缝,且开缝沿法拉第屏蔽件的竖直方向设置,遮挡环环绕在法拉第屏蔽件与绝缘环连接处的内侧,且不与法拉第屏蔽件相接触,并接地;遮挡环用于遮挡反应腔室内的金属离子沉积在开缝与绝缘环的连接处。本发明提供的反应腔室,其可以提高反应腔室内工艺的稳定性,从而可以提高工艺质量。 | ||
搜索关键词: | 反应 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,包括套置在所述反应腔室的侧壁内侧的法拉第屏蔽件和绝缘环,所述法拉第屏蔽件叠置在所述绝缘环上,沿所述法拉第屏蔽件的周向间隔设置有至少一条开缝,且所述开缝沿所述法拉第屏蔽件的竖直方向设置,其特征在于,还包括采用不导磁的金属材料制成的遮挡环,所述遮挡环环绕在所述法拉第屏蔽件与所述绝缘环连接处的内侧,且不与所述法拉第屏蔽件相接触,并接地;所述遮挡环用于遮挡所述反应腔室内的金属离子沉积在所述开缝与所述绝缘环的连接处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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