[发明专利]反应腔室及等离子体加工设备在审

专利信息
申请号: 201310750911.1 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104746043A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 张彦召;陈鹏;佘清 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/452 分类号: C23C16/452;H05H1/46
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣,张天舒
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备,反应腔室包括套置在反应腔室的侧壁内侧的法拉第屏蔽件、绝缘环和采用不导磁的金属材料制成的遮挡环,法拉第屏蔽件叠置在绝缘环上,沿法拉第屏蔽件的周向间隔设置有至少一条开缝,且开缝沿法拉第屏蔽件的竖直方向设置,遮挡环环绕在法拉第屏蔽件与绝缘环连接处的内侧,且不与法拉第屏蔽件相接触,并接地;遮挡环用于遮挡反应腔室内的金属离子沉积在开缝与绝缘环的连接处。本发明提供的反应腔室,其可以提高反应腔室内工艺的稳定性,从而可以提高工艺质量。
搜索关键词: 反应 等离子体 加工 设备
【主权项】:
一种反应腔室,包括套置在所述反应腔室的侧壁内侧的法拉第屏蔽件和绝缘环,所述法拉第屏蔽件叠置在所述绝缘环上,沿所述法拉第屏蔽件的周向间隔设置有至少一条开缝,且所述开缝沿所述法拉第屏蔽件的竖直方向设置,其特征在于,还包括采用不导磁的金属材料制成的遮挡环,所述遮挡环环绕在所述法拉第屏蔽件与所述绝缘环连接处的内侧,且不与所述法拉第屏蔽件相接触,并接地;所述遮挡环用于遮挡所述反应腔室内的金属离子沉积在所述开缝与所述绝缘环的连接处。
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