[发明专利]一种D/A型二苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310751057.0 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103642490A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陆军;郑舒方;李悟;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 张水俤 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于无机有机复合光电材料技术领域的一种D/A型二苯乙烯化合物共插层水滑石复合光电材料及其制备方法。本发明采用单滴共沉淀法将4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子与4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根阴离子以不同比例共插层到水滑石层间得到复合光电材料。利用水滑石层状材料的空间限域作用以及主客体之间的相互作用，实现了D/A型分子的固定化，同时提高了D/A分子间的光致电荷转移效率，为将水滑石插层复合材料应用于固体光电器件领域提供理论研究基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 苯乙烯 分子 共插层水 滑石 复合 光电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种D/A型二苯乙烯分子共插层水滑石复合光电材料，其特征在于，该材料的化学式为：[(M2+)1‑x(M3+)x(OH)2]x+(A2‑)x/2·mH2O，其中0.1≤x≤0.33，m＝3‑6为层间结晶水分子数，M2+代表二价金属阳离子，M3+代表三价金属阳离子；A2‑代表4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子，两者的摩尔比为(1：9)‑(9：1)；该材料的晶体结构为类水滑石材料的晶体结构，金属阳离子和氢氧根离子以共价键构成八面体，通过共边形成片状结构，4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子插入片层间构成均匀分散的4,4'‑二氨基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子与4,4'‑二硝基二苯乙烯‑2,2'‑二磺酸根阴离子共插层超分子层状复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310751057.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
