[发明专利]NAND坏块处理方法及NAND闪存设备有效
| 申请号： | 201310751620.4 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104750565B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 金渝;吴付利 | 申请（专利权）人： | 锐迪科（重庆）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/07 | 分类号： | G06F11/07;G06F12/02 |
| 代理公司： | 重庆中流知识产权代理事务所(普通合伙) 50214 | 代理人： | 陈立荣 |
| 地址： | 400060 重庆市南岸*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND坏块处理方法及NAND闪存设备，所述NAND闪存设备包括：数据区域，包括多个块，用于存储数据；替换区域，包括多个块，当所述数据区域和/或所述替换区域本身中的一个以上的块发生损坏而成为坏块时，作为替换块，用于替换所述一个以上的坏块；BBT区，用于存储坏块表，所述坏块表指明所述坏块与所述替换块之间的映射关系；BBT索引区，位于指定的块中，所述BBT索引区存储有索引文件，所述索引文件包括指引所述BBT区所在块的地址的索引条目。本发明能减少坏块处理对存储空间的额外要求。 | ||
| 搜索关键词： | nand 处理 方法 闪存 设备 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存设备，其特征在于，所述NAND闪存设备包括：数据区域，包括多个块，用于存储数据；替换区域，包括多个块，当所述数据区域和/或所述替换区域本身中的一个以上的块发生损坏而成为坏块时，作为替换块，用于替换所述一个以上的坏块；BBT区，用于存储坏块表，所述坏块表指明所述坏块与所述替换块之间的映射关系；BBT索引区，位于指定的块中，所述BBT索引区存储有索引文件，所述索引文件包括指引所述BBT区所在块的地址的索引条目；若所述坏块位于所述BBT区，修改所述BBT索引区的所述索引文件；所述修改所述索引文件包括：对所述索引文件进行更新，将所述替换块的地址保存到索引文件中有效条目的下一个索引条目，所述有效条目是指数据内容为“0xFFFF”的前一个索引条目。
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