[发明专利]离子注入掩膜方法及碳化硅肖特基二极管制造方法在审
| 申请号： | 201310751760.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103839784A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈彤;倪炜江 | 申请（专利权）人： | 北京市润大正兴电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅;段俊峰 |
| 地址： | 100080 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅器件离子注入方法。该方法包括如下步骤：在碳化硅衬底上淀积第一介质层；在所述第一介质层上淀积第二介质层；对所述第二介质层上形成光致抗蚀剂；利用所述光致抗蚀剂对所述第二介质层图形化；第一介质层和以所述图形化的第二介质层作为注入阻挡层对所述碳化硅衬底进行离子注入。通过采用根据本发明的方法，可以得到特征尺寸小，导通电阻低的碳化硅半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 碳化硅 肖特基 二极管 制造 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件离子注入方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在碳化硅衬底上淀积第一介质层；在所述第一介质层上淀积第二介质层；对所述第二介质层上形成光致抗蚀剂；利用所述光致抗蚀剂对所述第二介质层图形化；以所述图形化的第二介质层作为注入阻挡层对所述碳化硅衬底进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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