[发明专利]一种或非型闪存中存储单元间串扰的测试方法

摘要

本发明公开了一种或非型闪存中存储单元间串扰的测试方法，包括提供模拟或非型闪存的存储阵列的测试结构；对测试结构中的存储单元先后进行编程和擦除操作，并将第二存储单元和第四存储单元定义为第一擦除单元和第二擦除单元；对第一存储单元和第三存储单元分别进行编程操作并被定义为第一编程单元和第二编程单元；对目标存储单元进行读取操作，并评价读取串扰对编程单元和擦除单元的影响；对目标存储单元进行编程操作，并同时评价字线串扰和位线串扰对编程单元和擦除单元的影响；对目标存储单元的基底进行加压，并评价基底串扰对编程单元和擦除单元的影响。本发明能够很好地模拟实际存储阵列的操作情况，优化了测试设计，缩短了测试时间。

主权项

一种或非型闪存中存储单元间串扰的测试方法，所述存储单元间串扰包括读取串扰、字线串扰、位线串扰和基底串扰，其特征在于，所述测试方法包括：提供模拟所述或非型闪存的存储阵列的测试结构，其中，所述测试结构包括：目标存储单元、与所述目标存储单元共字线并位于其两侧且与其相邻的第一存储单元和第二存储单元以及与所述目标存储单元共位线并位于其两侧且与其相邻的第三存储单元和第四存储单元；对所述目标存储单元、第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元和第四存储单元先进行编程操作再进行擦除操作，并将完成擦除操作的所述第二存储单元和第四存储单元分别定义为第一擦除单元和第二擦除单元；对所述第一存储单元和第三存储单元分别进行编程操作并被定义为第一编程单元和第二编程单元；对所述目标存储单元进行读取操作，并评价所述读取串扰对所述第一编程单元、第二编程单元、第一擦除单元和第二擦除单元的影响；对所述目标存储单元进行编程操作，并评价所述字线串扰对所述第一编程单元和第一擦除单元的影响以及评价所述位线串扰对所述第二编程单元和第二擦除单元的影响；对所述目标存储单元的基底进行加压，并评价所述基底串扰对所述第一编程单元、第二编程单元、第一擦除单元和第二擦除单元的影响。