[发明专利]调控等离子体反应腔室环境的方法在审
| 申请号： | 201310752645.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752142A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 罗巍;符雅丽;陈永远 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种调控等离子体反应腔室环境的方法，包括：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在等离子体反应腔室的内壁和位于等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在晶圆在等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理并离开等离子体反应腔室后，向等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除等离子体加工处理过程中吸附在富碳材料涂层表面的反应产物；向等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除等离子体反应腔室的内壁和基片台表面的富碳材料涂层，使等离子体反应腔室恢复到清洁状态。上述方法在维持了较好的工艺稳定性的同时，能够延长平均清洗时间间隔和零部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 调控 等离子体 反应 环境 方法 | ||
【主权项】：
一种调控等离子体反应腔室环境的方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在所述等离子体反应腔室的内壁和位于所述等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在所述晶圆在所述等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理，并离开所述等离子体反应腔室后，向所述等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除所述等离子体加工处理过程中吸附在所述富碳材料涂层表面的反应产物；向所述等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除所述等离子体反应腔室的内壁和所述基片台表面的所述富碳材料涂层，使所述等离子体反应腔室恢复到清洁状态。
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