[发明专利]一种半导体工艺配方的加载方法与系统在审
| 申请号： | 201310752985.9 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752269A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 尤艳艳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体工艺配方的加载方法和系统，所述方法包括当接收到工艺配方的加载请求时，依据所述加载请求获取所述工艺配方；其中，所述工艺配方包括工艺步骤，所述工艺步骤包括一个或多个工艺参数，以及，分别与所述一个或多个工艺参数对应的一个或多个容差；将所述工艺配方封装到预置的包裹类中；分别从所述包裹类中加载所述工艺配方的工艺步骤和容差。本发明实施例解决了工艺步骤中的工艺参数的容差因为配置不当而造成不必要警报的问题，进而避免了半导体设备因为停机等紧急处理措施而造成物料的损坏和浪费，也避免了人工处理警报而造成的人力资源浪费，最终提高了生成效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工艺 配方 加载 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺配方的加载方法，其特征在于，所述方法包括：当接收到工艺配方的加载请求时，依据所述加载请求获取所述工艺配方；其中，所述工艺配方包括工艺步骤，所述工艺步骤包括一个或多个工艺参数，以及，分别与所述一个或多个工艺参数对应的一个或多个容差；将所述工艺配方封装到预置的包裹类中；分别从所述包裹类中加载所述工艺配方的工艺步骤和容差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
