[发明专利]阱电阻的描述方法在审
| 申请号： | 201310752999.0 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104749511A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 武洁;徐萍 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阱电阻描述方法，在常规的阱电阻评价基础上，抬高阱电阻的埋层电位，使阱电阻阻值发生变化，将埋层电位对阱电阻的影响因素列入阱电阻的评价过程中，能更精确地描述阱电阻阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 描述 方法 | ||
【主权项】：
一种阱电阻的描述方法，其特征在于：采用如下的公式描述：R(V)=R0*R1(V(n1,n2))*F2(V(n2,n3))*L-2dl*F3(V(n2,n3))W-2dl*F4(V(n2,n3))]]>其中，F1(V(n1，n2))＝1+VC1*V(n1，n2)+VC2*V(n1，n2)2；F2(V(n2，n3))＝1+VC3*V(n2，n3)+VC4*V(n2，n3)2；F3(V(n2，n3))＝1+VC5*V(n2，n3)+VC6*V(n2，n3)2；F4(V(n2，n3))＝1+VC7*V(n2，n3)+VC8*V(n2，n3)2；公式中V(n1,n2)表示n1、n2两节点之间的电压，V(n2,n3)表示n2、n3两节点之间的电压,L是电阻长度，W是电阻宽度，dl指由于工艺误差带来的电阻长度的偏差，dw指由于工艺误差带来的电阻宽度的偏差，R0指阱电阻方块阻值，VC1、VC2是常规阱电阻一阶、二阶电压系数，VC3、VC4是埋层电压影响阱电阻抽取的一阶、二阶电压系数，VC5、VC6是由埋层电压抬高对阱电阻长度影响的一阶、二阶电压系数，VC7、VC8是由埋层电压抬高对阱电阻宽度影响的一阶、二阶电压系数；所述VC1～VC8为阱电阻系数。
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