[发明专利]一种提高成膜均匀性的方法

摘要

一种提高工艺膜厚均匀性的方法，其在根据主工艺要求设定的工艺参数完成主工艺步骤后，继续保持与主工艺相同的温度和压力，进行仅通反应保护气体的退火稳定步骤，其中，退火稳定步骤气体流量和工艺时间，取决于退火稳定步骤完成后需达到的主工艺气体流量和时间；最后再进行降低反应腔室内的温度，继续通入反应保护气体，和/或将反应管内压力恢复至常压。因此,本发明通过在主工艺步骤后增加了退火工艺步骤，同时，通过分温区精确控制工艺过程中温度和气体流量而形成稳定温场和气流，提高了工艺硅片内/间的均匀性，该方法可行性强和重复性高，在不改变硬件条件下，对提高成膜质量效果显著。

主权项

一种提高工艺膜厚均匀性的方法，其特征在于，包括：步骤S1：通过传输系统的机械手将需处理的半导体硅片放置在晶舟上，并通过升降机构将晶舟送进反应腔室内；步骤S2：根据主工艺要求设定的工艺参数，进行主工艺步骤；其中，主工艺设定的工艺参数包括反应腔室内的温度、通入主工艺气体的种类和浓度，反应时间和/或将反应管内压力抽至反应压力值；在衬底表面发生化学反应生成工艺膜；步骤S3：主工艺完成后，继续保持与主工艺相同的温度和压力，进行仅通反应保护气体的退火稳定步骤，其中，退火稳定步骤气体流量和工艺时间，取决于退火稳定步骤完成后需达到的主工艺气体流量和时间；步骤S4：降低反应腔室内的温度，继续通入反应保护气体，和/或将反应管内压力恢复至常压；步骤S5：通过升降机构将晶舟移出所述反应腔室，通过机械手将已在衬底表面生成工艺膜的硅片从晶舟上取出。