[发明专利]可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备在审
| 申请号： | 201310753210.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104746028A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 耿波;王宽冒;蒋秉轩;郭万国 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种可实时监控晶片温度的压环系统，应用在磁控溅射设备上，压环系统包括晶片压环、弹性测温臂和用于测量晶片温度的测温探头，弹性测温臂的一端固定在晶片压环上，弹性测温臂的另一端悬空，弹性测温臂为中空的管状，晶片压环上设置通孔，所述通孔连通弹性测温臂的中空部分，测温探头设置在弹性测温臂的中空部分，置于弹性测温臂的悬空的一端，测温探头的导线先后贯穿弹性测温臂的中空部分和晶片压环的所述通孔而延伸至晶片压环的外侧。还涉及一种磁控溅射设备。本发明的可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备，实现在不破坏腔室真空的条件下从腔室内部引出测温探头的导线，从而保证薄膜沉积环境不受污染，且测温更加真实。 | ||
| 搜索关键词： | 实时 监控 晶片 温度 系统 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
一种可实时监控晶片温度的压环系统，应用在磁控溅射设备上，所述压环系统包括晶片压环，其特征在于：还包括弹性测温臂和用于测量晶片温度的测温探头，所述弹性测温臂的一端固定在所述晶片压环上，所述弹性测温臂的另一端悬空，所述弹性测温臂为中空的管状，所述晶片压环上设置通孔，所述通孔连通所述弹性测温臂的中空部分；所述测温探头设置在所述弹性测温臂的中空部分，置于所述弹性测温臂的悬空的一端，所述测温探头的导线先后贯穿所述弹性测温臂的中空部分和所述晶片压环的所述通孔而延伸至所述晶片压环的外侧。
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