[发明专利]一种薄膜封装方法在审
| 申请号： | 201310753356.8 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104746036A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/06 | 分类号： | C23C16/06;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功能层交替结构的薄膜。实现了速度可控、快速沉积较高质量的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜封装方法，其特征在于：包括如下步骤：通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功能层交替结构的薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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