[发明专利]用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法有效

专利信息
申请号: 201310753613.8 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN103762314A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 邱龙臻;陈梦婕;王迎;林广庆;陆红波;王晓鸿;吕国强 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法,包括:在基片的栅绝缘层上形成亲水区域;将聚合物绝缘材料溶液旋涂在基片的栅绝缘层上;并用紫外光照使聚合物层内部发生交联反应,通过改变紫外光照时长,不同程度的改善聚合物绝缘层的界面性质,以调控半导体墨滴单点和薄膜尺寸、形貌和结晶形态,从而调控器件电学性能。本发明在一定范围内改善了衬底与有机半导体层的界面性质以及半导体单点和薄膜的尺寸、形貌和结晶形态,提高了有机薄膜晶体管器件的电学性能。
搜索关键词: 用于 喷墨 打印 有机 薄膜晶体管 绝缘 修饰 方法
【主权项】:
用于喷墨打印有机薄膜晶体管的绝缘层修饰方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在基片的栅绝缘层上形成亲水区域;(2)将聚合物绝缘材料溶液旋涂在基片的栅绝缘层上形成聚合物绝缘层;(3)用紫外光照使聚合物绝缘层内部发生交联反应形成交联聚合物绝缘层;(4)通过改变紫外光照时长,不同程度的改善聚合物绝缘层的界面性质,以调控半导体墨滴单点和薄膜尺寸、形貌和结晶形态,从而调控器件电学性能。
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