[发明专利]一种气敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310753768.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103698365A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 官德斌;杨云涛;邓建国 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气敏传感器，包括由下至上安装的基板、底电极、绝缘层、上电极引线层、敏感薄膜层和上电极组成，所述的敏感薄膜层为稀土金属酞菁LB膜敏化大带宽金属氧化物纳米孔道阵列结构，如TiO2纳米管阵列。本发明还提供了所述气敏传感器的制备方法。本发明提供的气敏传感器结构新颖、易于集成。本身体积可控，为传感器的小型化、轻型化、集成化提供了便利。因其在室温下工作，在化工、医药、食品工业等都具有非常广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种气敏传感器，包括由下至上安装的基板、底电极、绝缘层、上电极引线层、敏感薄膜层和上电极组成，其特征在于：所述的敏感薄膜层为稀土金属酞菁LB膜敏化大带宽金属氧化物纳米孔道阵列结构。
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