[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310753947.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752220A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜;陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上制作浅沟槽隔离结构和栅极结构；在栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入，口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入为轻原子量杂质注入，另一次口袋注入为重原子量杂质注入，重原子量杂质与轻原子量杂质的剂量比大于1：1；制作栅极结构的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底上进行源/漏极注入。注入的重原子量杂质在半导体衬底上的扩散较慢，扩散到半导体衬底与浅沟槽隔离所形成的硅/二氧化硅界面的杂质较少，因此能够有效地维持或提升窄沟道MOS管的阈值电压；通过两者剂量比的变化满足不同阈值电压的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上制作浅沟槽隔离结构和栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入，所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入为轻原子量杂质注入，另一次口袋注入为重原子量杂质注入，所述重原子量杂质与所述轻原子量杂质的剂量比大于1：1；制作所述栅极结构的侧墙；在所述侧墙两侧的所述半导体衬底上进行源/漏极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
