[发明专利]硅片清洗方法有效
| 申请号： | 201310753951.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103736690B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 胡正军;姚嫦娲;周炜捷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片清洗方法包括：提供待清洗硅片，对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率，从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：提供将待清洗硅片，对该硅片进行连续的三个时间段的超声波清洗，且每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗，第一时间段中所用低频超声波的功率密度为0.5‑1.0W/cm2，高频超声波的功率密度为0.1‑0.5W/cm2，且低频超声波的功率密度是高频超声波的3倍以上；第二时间段中所用低频超声波的功率密度为0.1‑0.5W/cm2，高频超声波的功率密度为0.3‑1.0W/cm2，且高频超声波的功率密度是低频超声波的3倍以上；第三时间段中所用低频超声波的功率密度<0.1W/cm2，高频超声波的功率密度为0.1‑1.0W/cm2，其中，低频超声波的频率范围为20KHz‑1MHz，高频超声波的频率范围为2MHz‑3MHz。
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