[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310753993.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752605A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 曾贤成;黄河;李海艇;侯飞凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有互连线；在半导体衬底上沉积形成保护层，并在保护层中形成底部电极；在半导体衬底上依次形成磁通道结材料层和具有磁通道结图案的光刻胶层；实施蚀刻，形成磁通道结。根据本发明，通过蚀刻形成磁通道结之后，由于保护层的阻隔，蚀刻残留物不会存留于互连线的顶部，确保器件具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有互连线；在所述半导体衬底上沉积形成保护层，并在所述保护层中形成底部电极；在所述半导体衬底上依次形成磁通道结材料层和具有磁通道结图案的光刻胶层；实施蚀刻，形成磁通道结。
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