[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有第一鳍部；形成横跨第一鳍部的栅极，栅极覆盖部分第一鳍部的顶部和侧壁；形成覆盖衬底和栅极的保护层；在保护层上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层露出第一鳍部位置处的保护层；在同一工艺中去除覆盖第一鳍部位置处的保护层和图案化的掩膜层，形成图案化的保护层，图案化的保护层露出第一鳍部及其上的栅极；加热衬底，之后以图案化的保护层为掩膜，对栅极两侧第一鳍部进行离子注入，形成源极和漏极；去除图案化的保护层。采用本发明方法实现了经过离子注入后的第一鳍部中的非晶态硅的含量有所减小或非晶态硅层有所减薄的目的，进而提高了后续形成的第一鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有第一鳍部和第二鳍部；形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极，所述栅极覆盖部分所述第一鳍部的顶部和侧壁、第二鳍部的顶部和侧壁；形成覆盖所述衬底、第一鳍部、第二鳍部和栅极的保护层，所述保护层的材料为非晶碳，非晶碳与光刻胶的刻蚀选择比接近，等离子体干法刻蚀去除覆盖第一鳍部位置处的保护层的过程中，覆盖在保护层上的图案化的掩膜层同时也会被刻蚀；在所述保护层上形成图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层露出所述第一鳍部位置处的保护层、覆盖所述第二鳍部位置处的保护层；采用等离子体干法刻蚀在同一工艺中去除覆盖所述第一鳍部位置处的保护层和图案化的掩膜层，形成图案化的保护层，所述图案化的保护层露出所述第一鳍部及其上的栅极、覆盖所述第二鳍部及其上的栅极；等离子体干法刻蚀的过程中，覆盖在保护层上的图案化的掩膜层被完全去除，覆盖在第二鳍部位置处的保护层被少量过刻蚀，需要满足以下条件：图案化的掩膜层与保护层的厚度比为0.45:1～0.9:1，同时去除覆盖第一鳍部位置处的保护层和覆盖在保护层上图案化的掩膜层工艺为等离子体干法刻蚀，具体条件为，刻蚀气体包含氧气，氧气流量为100～5000sccm，激发功率为100～2000W，偏置功率为0～500W，刻蚀温度为35～250℃，刻蚀时间为5s～200s；加热所述衬底，之后以所述图案化的保护层为掩膜，对所述栅极两侧的第一鳍部进行离子注入，形成源极和漏极；去除所述图案化的保护层。