[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，在半导体衬底上形成伪栅材料层后，在所述伪栅材料层上方形成第一硬掩模层，之后在刻蚀所述第一硬掩模层和伪栅材料层形成伪栅结构后，在所述伪栅结构上保留所述第一硬掩模层，在之后的嵌入式应力晶体管制备工艺中，所述第一硬掩模层始终覆盖在所述伪栅上方，从而避免伪栅结构被破坏，进而确保后续形成的与所述伪栅结构相匹配的金属栅极的结构。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅材料层；在所述伪栅材料层上形成第一硬掩模层；刻蚀所述第一硬掩模层，在所述第一硬掩模层内形成硬掩模图案；以所述硬掩模图案为掩模刻蚀所述伪栅材料层，形成伪栅结构，在所述伪栅结构上保留所述第一硬掩模层；在所述半导体衬底上形成第二硬掩模层，所述第二硬掩模层覆盖所述伪栅结构；刻蚀所述第二硬掩模层，在所述伪栅结构周边的半导体衬底内形成凹槽，并在所述凹槽内形成应力层；去除所述半导体衬底上剩余的第二硬掩模层。