[发明专利]用于对介质层进行可靠性测试的测试结构在审
| 申请号： | 201310754228.5 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752409A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 廖淼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于对介质层进行可靠性测试的测试结构，介质层为集成电路金属互连结构中的介质层，集成电路金属互连结构包括位于介质层内的互连线及双镶嵌结构，该双镶嵌结构具有与一互连线接触电连接的插塞，该插塞位于相邻两互连线之间的介质层上方，测试结构包括金属互连结构，测试结构的金属互连结构包括衬底；位于衬底上的介质层；位于介质层内的多条第一金属互连线；位于介质层内并位于第一金属互连线上方的双镶嵌结构，双镶嵌结构具有与第一金属互连线接触电连接的插塞，且插塞的一部分位于相邻两第一金属互连线之间的介质层上方。解决了根据现有测试结构无法准确地测试出集成电路金属互连结构中的介质层可靠性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 介质 进行 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种用于对介质层进行可靠性测试的测试结构，所述介质层为集成电路金属互连结构中的介质层，集成电路金属互连结构包括位于介质层内的互连线及双镶嵌结构，该双镶嵌结构具有与一互连线接触电连接的插塞，该插塞位于相邻两互连线之间的介质层上方，其特征在于，所述测试结构包括金属互连结构，所述测试结构的金属互连结构包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述介质层内的多条第一金属互连线；位于所述介质层内并位于所述第一金属互连线上方的双镶嵌结构，所述双镶嵌结构具有与所述第一金属互连线接触电连接的插塞，且所述插塞的一部分位于相邻两第一金属互连线之间的介质层上方。
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