[发明专利]互连层、其制作方法及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310754256.7 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104752335B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 周鸣 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/522
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种互连层、其制作方法及半导体器件。其中,互连层的制作方法包括:在衬底上形成具有通孔的介质层,并在通孔中填充形成金属填充部,以及在介质层和金属填充部上形成阻挡层的步骤,其中在形成阻挡层的步骤之前,还包括对金属填充部进行表面处理的步骤,该步骤包括:对金属填充部进行Si掺杂处理,以在金属填充部的表面形成Si掺杂区;以及对金属填充部表面的Si掺杂区进行离子轰击处理。该制作方法在金属填充部上形成了具有Si悬挂键的粗糙表面,从而使得金属填充部与阻挡层之间的结合更加紧密,进而提高了金属填充部和阻挡层之间的粘结力,提高了互连层的可靠性。
搜索关键词: 互连 制作方法 半导体器件
【主权项】:
1.一种互连层的制作方法,包括在衬底上形成具有通孔的介质层,并填充所述通孔形成金属填充部,以及在所述介质层和金属填充部上形成阻挡层的步骤,其特征在于,在形成所述阻挡层之前,还包括对所述金属填充部进行表面处理的步骤,对所述金属填充部进行表面处理的步骤包括:对所述金属填充部进行Si掺杂处理,以在所述金属填充部的表面形成Si掺杂区;以及对所述金属填充部表面的Si掺杂区进行离子轰击处理;所述制作方法中,在对所述金属填充部进行表面处理的步骤之后,在形成所述阻挡层的步骤之前,还包括对所述介质层进行表面处理的步骤,对所述介质层进行表面处理的步骤包括:对所述介质层进行Si掺杂处理,以在所述介质层的表面形成Si掺杂区;对所述介质层表面的Si掺杂区进行离子轰击处理。
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