[发明专利]雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置在审
| 申请号： | 201310754379.0 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752340A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;韩凤芹 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张亚利,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，雪崩光电二极管阵列装置的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底正面形成雪崩光电二极管阵列；在相邻两雪崩光电二极管中，在至少其中一个雪崩光电二极管的周围形成环绕该雪崩光电二极管的隔离环，所述隔离环的深度大于所述雪崩光电二极管的深度，所述隔离环起到绝缘相邻两雪崩光电二极管的作用；先形成所述雪崩光电二极管阵列，再形成所述隔离环；或者，先形成隔离环，再形成所述雪崩光电二极管阵列。由于有该隔离环的存在，可以将雪崩光电二极管阵列贴合在具有CMOS控制电路的基底上，解决现有技术中在具有CMOS控制电路的基底上形成雪崩光电二极管阵列方法繁琐的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 阵列 装置 形成 方法 激光 三维 成像 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管阵列装置的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底正面形成雪崩光电二极管阵列；在相邻两雪崩光电二极管中，在至少其中一个雪崩光电二极管的周围形成环绕该雪崩光电二极管的隔离环，所述隔离环的深度大于所述雪崩光电二极管的深度，所述隔离环起到绝缘相邻两雪崩光电二极管的作用；先形成所述雪崩光电二极管阵列，再形成所述隔离环；或者，先形成隔离环，再形成所述雪崩光电二极管阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
