[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201310754681.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762240A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杜寰;朱喜福 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200136 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，漂移区。优选地，本发明采用漂移区两次注入。本发明的LDMOS器件设计带来了器件导通电阻的极大优化，具有优越的性能和广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，包括源极、栅极、漏极，其特征在于，还包括以下结构：硅型衬底，P‑epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，漂移区。
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