[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装中间结构装置和方法有效
| 申请号： | 201310755093.4 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104051399B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 余振华;叶德强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种WLCSP中间结构及其形成方法，该方法包括：在载体上形成第一重分布层（RDL），以及在第一RDL的第二侧上安装中介层管芯，第一RDL具有设置在第一RDL上的安装焊盘。在中介层管芯的第二侧上方形成第二RDL，第二RDL具有与中介层管芯相邻的第一侧，设置在第二RDL上的一个或多个接合件，一个或多个接合件中的至少一个与至少一个中介层管芯或至少一个安装焊盘电接触。在形成第二RDL之前，在所述中介层管芯周围和在第一RDL的一部分的上方形成模塑料，并且第二RDL形成在模塑料的至少一部分的上方。本发明还公开了晶圆级芯片尺寸封装中间结构装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 中介层 管芯 中间结构 晶圆级芯片尺寸封装 安装焊盘 接合件 模塑料 重分布层 电接触 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在载体晶圆上形成第一重分布层(RDL)，所述第一重分布层(RDL)具有设置在多个介电层中的一个或多个导电元件以及设置在所述第一重分布层(RDL)的第一侧上的一个或多个安装焊盘；在所述第一重分布层(RDL)的第二侧上安装一个或多个中介层管芯，所述一个或多个中介层管芯的第一侧与所述第一重分布层(RDL)相邻；在所述一个或多个中介层管芯周围以及所述第一重分布层的一部分上方形成模塑料；在所述一个或多个中介层管芯的第二侧上方形成第二重分布层(RDL)，所述第二重分布层(RDL)具有与所述中介层管芯相邻的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，一个或多个接合件设置在所述第二重分布层(RDL)的第二侧上，所述一个或多个接合件中的至少一个与所述一个或多个中介层管芯中的至少一个电接触或者与所述一个或多个安装焊盘中的至少一个电接触；将第二部件安装在所述第二重分布层(RDL)的第二侧上设置的所述接合件上；以及形成所述模塑料包括：形成延伸穿过所述模塑料的一个或多个中介层通孔；其中，所述一个或多个中介层管芯的第二侧与所述模塑料的顶面以及所述一个或多个中介层通孔的顶面共面，所述中介层通孔延伸至所述第一重分布层内以接触所述第一重分布层的最高介电层下方的所述第一重分布层中的导电元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310755093.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：悬挂球壳的悬挂板
- 下一篇：一种新型高强节能型聚羧酸减水剂及其制备方法
