[发明专利]掩膜板和光掩膜无效
申请号: | 201310755510.5 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN103955110A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 服部功 | 申请(专利权)人: | 表面清洁技术株式会社 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40;G03F1/54;G03F1/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;杨思捷 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够制造光掩膜的掩膜板,该光掩膜具有有效防止静电击穿的结构。为了实现上述目的,本发明公开了一种掩膜板,其包括掩膜基底、完全覆盖该掩膜基底一面的静电击穿保护膜和形成在该静电击穿保护膜上的遮光膜。该静电击穿保护膜由钛、钽、钛化合物或钽化合物构成。对于曝光波长该静电击穿保护膜的透光率不小于75%。该静电放电保护膜的方块电阻不大于100KΩ/□。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 光掩膜 | ||
【主权项】:
一种掩膜板包括掩膜基底,完全覆盖该掩膜基底一面的静电击穿保护膜,形成在该静电击穿保护膜上的遮光膜,其中所述静电击穿保护膜由钛或钛钽制成,对于曝光波长所述静电击穿保护膜的透光率不小于75%,并且所述静电击穿保护膜的方块电阻不大于100KΩ/□。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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