[发明专利]基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的新型光互连结构及其制备方法，包括单晶硅LED、栅极氧化SiO₂层（2）、多晶硅PIN探测器（3）以及P型衬底（12），所述单晶硅LED包括单晶硅LED阳极及其接触区（5）、单晶硅LED阴极及其接触区（6）；设置在P型衬底（12）中的N阱（1）中；所述栅极氧化SiO₂层（2）采用两层CMOSFET的SiO₂层结构，作为该互连结构的光波导，其厚度为或；以及所述多晶硅PIN探测器设置于所述栅极氧化SiO₂层（2）之上，分成了三个区域。本发明可为基于标准CMOS工艺的光互连系统提供一些新的、有益的参考。

主权项

1.一种基于标准CMOS工艺的新型光互连结构，其特征在于，该结构包括单晶硅LED、栅极氧化SiO₂层（2）、多晶硅PIN探测器（3）以及P型衬底（12），其中：所述单晶硅LED包括单晶硅LED阳极及其接触区（5）、单晶硅LED阴极及其接触区（6）；设置在P型衬底（12）中的N阱（1）中；所述栅极氧化SiO₂层（2）采用两层CMOSFET的SiO₂层结构，作为该互连结构的光波导，其厚度为或；所述多晶硅PIN探测器设置于所述栅极氧化SiO₂层（2）之上，分成了三个区域，包括多晶硅探测器的阳极及其接触区（7）；多晶硅探测器的阴极及其接触区（8）、多晶硅探测器的i区（9）以及设置于多晶硅探测器的阳极及其接触区（7）和多晶硅探测器的阴极及其接触区（8）上的多晶硅探测器的电极通孔（10）。