[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310757138.1 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839824A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | F·布劳恩;M·黑勒;D·凯泽;M·莱姆克;A·毛德;I·莫伊泽尔;D·沙莱特;K·佐沙格;H·施特拉克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;马永利 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底中形成延伸至上面的多个半导体台面使得相邻半导体台面彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被相对于半导体台面可选择刻蚀的牺牲层填充的沟槽之一间隔开；形成机械地连接彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被牺牲层填充的沟槽之一间隔开的半导体台面的支撑结构；以及从所述上面处理半导体衬底而半导体台面通过该支撑结构被机械地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，该方法包括：‑在半导体衬底中形成延伸至上面的多个半导体台面使得相邻半导体台面彼此通过基本上为空的沟槽和基本上被相对于半导体台面为可选择性刻蚀的牺牲层填充的沟槽之一间隔开；‑形成机械地连接半导体台面的支撑结构；以及‑从所述上面处理半导体衬底而半导体台面通过该支撑结构被机械地连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
