[发明专利]离子注入方法有效
| 申请号： | 201310757504.3 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915331B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐承柏;吴承翰;郑东垣;山本芳裕;G·G·巴克莱;G·珀勒斯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
在半导体器件中形成离子注入区域的方法，包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案由化学放大型光刻胶组合物形成，所述光刻胶组合物包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中，所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物，该基质聚合物是不溶于水的；选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合的生酸剂；以及溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使所述涂覆的半导体基材接触漂洗剂，以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
