[实用新型]一种新型高功率半导体激光器有效
| 申请号： | 201320000113.2 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN203071395U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆新辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市镭信威光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其是一种新型高功率半导体激光器。它包括金属底座、一体化陶瓷封盖，所述一体化陶瓷封盖的前侧面设有安装槽；所述一体化陶瓷封盖的开口朝下，倒扣在金属底座上；所述金属底座上设有激光芯片和表面金属化陶瓷电极片；激光芯片和表面金属化陶瓷电极片焊接在金属底座上。本实用新型将原来的金属外壳的环框与底座分离，用陶瓷封盖将环框与顶盖进行一体化设计，用表面金属化陶瓷电极代替金属引线和绝缘玻璃；加以高强度密封剂，取代电阻平行封焊；在保证可靠性的同时，显著降低了生产成本，有利于半导体激光器在更多行业的广泛推广及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种新型高功率半导体激光器，其特征在于，它包括金属底座、一体化陶瓷封盖，所述一体化陶瓷封盖的前侧面设有安装槽；所述一体化陶瓷封盖的开口朝下，倒扣在金属底座上；所述金属底座上设有激光芯片和表面金属化陶瓷电极片；所述激光芯片和表面金属化陶瓷电极片焊接在金属底座上。
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