[实用新型]一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶有效
| 申请号： | 201320005278.9 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN203065637U | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;邓树军;高宇;段聪;赵梅玉 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 102206 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及碳化硅晶体领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，所述的碳化硅籽晶粘贴在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700μm。本实用新型采用厚度≥700μm的碳化硅晶片作为籽晶，厚度增加后的碳化硅晶片更容易研磨抛光，减少晶片的弯曲度和翘曲度；同时厚度增加后的籽晶在任何温度下的形变量将减少，有利于减少晶体生长过程中产生的热应力，从而减少缺陷，提高晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 籽晶 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶，包括籽晶托，其特征在于，所述的碳化硅籽晶粘贴在所述籽晶托上，所述的碳化硅籽晶厚度不小于700μm。
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