[实用新型]三氯氢硅合成炉有效
| 申请号： | 201320010351.1 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN202988749U | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 赵文学 | 申请（专利权）人： | 重庆水泵厂有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400033 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 三氯氢硅合成炉，包括三氯氢硅合成炉本体下部安装的氯气进气分布段，该氯气进气分布段设置有氯气进气管，该氯气进气分布段的顶部安装有分布筛板，分布筛板上安装有若干个喷头，喷头设置有与氯气进气分布段内腔的空腔，喷头侧壁上设置有连通该喷头空腔与分布筛板上方的三氯氢硅合成炉本体内腔的喷孔，喷孔朝向所述分布筛板，工作时氯气通过喷孔吹向分布筛板，前次停车后落在分布筛板上的硅粉被吹起，吹起的硅粉沸腾成粉雾状与氯气充分接触反应，实现了硅粉无堆积和充分反应，节约硅粉，提高经济性；停止进氯气时，硅粉不易通过喷孔进入到筛板下部的进气空间中，不影响后续进气。 | ||
| 搜索关键词： | 三氯氢硅 合成 | ||
【主权项】：
三氯氢硅合成炉，包括三氯氢硅合成炉本体（1），该三氯氢硅合成炉本体（1）的下部为氯气进气分布段，该氯气进气分布段设置有与该氯气进气分布段的内腔连通的氯气进气管（4），该氯气进气分布段的顶部安装有分布筛板（2），该分布筛板（2）上设置有若干个通孔，在所述分布筛板（2）上安装有与所述分布筛板（2）上的通孔数目一致的喷头（3），该喷头（3）的下端安装在所述分布筛板（2）的通孔中，所述喷头（3）内部设置有与所述氯气进气分布段内腔连通的空腔，该喷头（3）的侧壁上设置有连通该喷头（3）空腔与所述分布筛板（2）上方的三氯氢硅合成炉本体（1）内腔的喷孔（5），其特征在于，所述喷孔（5）朝向所述分布筛板（2）。
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