[实用新型]IGBT背面集电极结构有效
| 申请号： | 201320013251.4 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN203013730U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;朱阳军;卢烁今;吴凯 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种IGBT背面集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本实用新型用于改善场截止型IGBT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 背面 集电极 结构 | ||
【主权项】：
一种IGBT背面集电极结构，包括N‑型基区(5)，其特征在于：还包括在N‑型基区(5)的背面形成的N+型缓冲层(6)和P+型集电极层(7)，所述N+型缓冲层(6)的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层(7)位于N+型缓冲层(6)的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320013251.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体硅太阳正面主栅电极
- 下一篇：衡器环形限位装置
- 同类专利
- 专利分类
