[实用新型]新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统有效
| 申请号： | 201320013393.0 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN203011528U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 井杨坤 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G05B19/05 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及显示技术领域，具体是一种新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，包括探测器衬底，所述探测器衬底上设置充有热探测气体的密闭腔室和电极，该密闭腔室上侧由内至外依次被半导体形变膜、透紫外窗口薄膜覆盖；所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜之间形成真空腔，且该半导体形变膜、透紫外窗口薄膜分别与电极连接。本实用新型提供的新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，通过热探测达到温度补正紫外光强测定的效果，不仅去除了温度对紫外线光强测量的影响，并且提高了测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 紫外光 探测器 测控 系统 | ||
【主权项】：
一种新型高敏紫外光强探测器，其特征在于，包括探测器衬底，所述探测器衬底上设置充有热探测气体的密闭腔室和电极，所述密闭腔室上侧由内至外依次被半导体形变膜、透紫外窗口薄膜覆盖；所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜之间形成真空腔，且所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜分别与电极连接。
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