[实用新型]可控硅控制器有效
| 申请号： | 201320013670.8 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN203039375U | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周冠军;王雪清;蔡高除;吴玉才 | 申请（专利权）人： | 上海久创电气自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容器等电位投切可控硅控制器，包括：依次连接的信号投入及过零检测电路、滤波补偿电路和可控硅控制输入端。本实用新型无功补偿速度快，电容可同时投入或同时切除，也可单独投入或单独切除，采用可控硅两端采集过零信号，光隔离自触发形式、过零触发，优于晶体管和CMOS，成本低，电路简单，安装方便。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 控制器 | ||
【主权项】：
一种可控硅控制器，其特征在于，包括：顺次相连的信号投入及过零检测电路、滤波补偿电路和可控硅控制输入端。
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