[实用新型]一种影像传感器结构有效

专利信息
申请号: 201320016896.3 申请日: 2013-01-14
公开(公告)号: CN203165886U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 李平 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 湖北省武汉市湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型涉及影像传感器制造领域,具体涉及一种影像传感器结构。包括逻辑晶圆和器件晶圆,逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,之上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,顶层金属上设有键合氧化物层,之上设有器件晶圆顶层金属,之上设有器件晶圆二氧化硅层,之上为器件晶圆,器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽,沟槽底部为器件晶圆顶层金属,器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔,键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层,键合层深通孔与沟槽之中布满铜。在通过使原来的结构中三阶台阶变为二阶台阶,简化了结构致使减少了制作流程中的步骤,进而减少了生产成本,增加了器件晶圆顶层金属与开口中铜的接触面积增大,提高了导电效果,进而提高影像传感器的性能。
搜索关键词: 一种 影像 传感器 结构
【主权项】:
一种影像传感器结构,其特征是:包括逻辑晶圆和器件晶圆,所述逻辑晶圆上设有有逻辑晶圆二氧化硅层,所述逻辑晶圆二氧化硅层上覆盖有逻辑晶圆顶层顶层金属,所述逻辑晶圆顶层金属上设有键合氧化物层,所述键和氧化层上设有器件晶圆顶层金属,所述器件晶圆顶层金属上设有器件晶圆二氧化硅层,所述器件晶圆器件晶圆二氧化硅层上为器件晶圆,所述器件晶圆二氧化硅层上设有沟槽,所述沟槽底部为器件晶圆顶层金属,所述器件晶圆顶层金属上设有键合层深通孔,所述键合层深通孔底部为逻辑晶圆金属层,所述键合层深通孔与沟槽之中布满铜。
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