[实用新型]一种低功耗高增益的上混频器

摘要

一种低功耗高增益的上混频器，设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号，然后分别输出至开关单元和电流注入单元，开关单元的输出连接负载单元，差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出，差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间，本振输入信号输入至开关单元。

主权项

一种低功耗高增益的上混频器，其特征在于：设有电流源单元、输入跨导单元、开关单元、负载单元以及电流注入单元，电流源单元的输出连接输入跨导单元，输入跨导单元放大信号并通过正反馈增强信号，然后分别输出至开关单元和电流注入单元，开关单元的输出连接负载单元，差分射频输出信号从负载单元与开关单元之间输出，差分基带或者中频信号输入至输入跨导单元与电流源单元之间，本振输入信号输入至开关单元，其中：电流源单元包括NMOS管M1和NMOS管M2，NMOS管M1和NMOS管M2的源极接地，栅极连接偏置电压Vb1，漏极连接分别连接差分基带或者中频信号的正负两端；输入跨导单元包括NMOS管M3和NMOS管M4，NMOS管M3和NMOS管M4的源极分别与电流源单元的NMOS管M1和NMOS管M2的漏极连接，基带或中频信号的正输入端从NMOS管M3的源极输入，基带或中频信号的负输入端从NMOS管M4的源极输入，NMOS管M3的栅极连接至NMOS管M4的漏极，NMOS管M4的栅极连接至NMOS管M3的漏极；开关单元包括NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、电阻R1、电阻R2，NMOS管M5和NMOS管M8的栅极互连并通过串联电阻R2连接电源电压Vdd，NMOS管M6和NMOS管M7的栅极互连并通过串联电阻R1连接电源电压Vdd，NMOS管M5和NMOS管M6的源极互连并连接输入跨导单元的NMOS管M3的漏极，NMOS管M7和NMOS管M8的源极互连并连接输入跨导单元的NMOS管M4的漏极，NMOS管M5的漏极与NMOS管M7的漏极互连，NMOS管M6的漏极与NMOS管M8的漏极互连，本振输入信号正端连接NMOS管M5和NMOS管M8的栅极，本振输入信号负端连接NMOS管M6和NMOS管M7的栅极；负载单元包括PMOS管M9、PMOS管M10、电感L1、电容C1、电感L2、电容C2，PMOS管M9的漏极与开关单元的NMOS管M5和NMOS管M7的漏极连接并作为上混频器的信号正输出端，PMOS管M10的漏极与开关单元的NMOS管M6和NMOS管M8的漏极连接并作为上混频器的信号负输出端，PMOS管M9的栅极连接PMOS管M10的漏极，PMOS管M10的栅极连接PMOS管M9的漏极，电感L1与电容C1并联，它们的一端与电源电压Vdd连接，另一端与PMOS管M9的源极连接，电感L2与电容C2并联，它们的一端与电源电压Vdd连接，另一端与PMOS管M10的源极连接；电流注入单元包括PMOS管M11和PMOS管M12，PMOS管M11和PMOS管M12的栅极连接至偏置电压Vb2，PMOS管M11的漏极与输入跨导单元NMOS管M3的漏极、NMOS管M4的栅极以及开关单元NMOS管M5和NMOS管M6的源极连接，PMOS管M12的漏极与输入跨导单元NMOS管M4的漏极、NMOS管M3的栅极以及开关单元NMOS管M7和NMOS管M8的源极连接，PMOS管M11和PMOS管M12的源极与电源电压Vdd连接。