[实用新型]高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT有效
| 申请号： | 201320042273.3 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN203205425U | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate（1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、P型区P-body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的沟槽（6），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包括N层和P型区P-body（4）区域在内的第三层外延层（5）。与现有技术相比，能够有效降低漂移区（Driftregion）的电阻，降低VCEsat，增加正向通电的效率10—30%等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高效率 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 igbt | ||
【主权项】：
高效率沟槽式绝缘栅双极型晶体管IGBT，包括主体P+Substrate（1）、在主体P+Substrate （1）上方的第一层外延缓冲层（2）、在第一层外延缓冲层（2）上方的第二层外延漂移层（3）、P型区P‑body（4）、多晶硅（7）和多晶硅外周的沟槽（6），其特征在于：在第二层外延漂移层（3）上方增设包括N层、P型区P‑body区域在内的第三层外延层（5）。
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