[实用新型]用于铁电存储器的铁电薄膜电容

摘要

用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层，所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为320nm至380nm；上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层粘结固定在硅基底层上。本实用新型为一种铁电薄膜电容。

主权项

一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，它包括硅基底层(1)，其特征在于，它还包括上电极层(2)、上电极缓冲层(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)、粘结层(7)和阻挡层(8)， 所述铁电薄膜层(4)为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层(4)的厚度为320nm至380nm； 上电极层(2)、上电极缓冲层(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)、粘结层(7)和阻挡层(8)按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层(8)粘结固定在硅基底层(1)上。