[实用新型]铁电薄膜电容有效
| 申请号： | 201320042511.0 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN203013715U | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周静;谢文广;李钟婧 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括六个上电极、六个上电极缓冲柱、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层和阻挡层；所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为400nm至480nm；硅基底层上由下至上顺次粘接固定阻挡层、下电极层、下电极缓冲层和铁电薄膜层，铁电薄膜层的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱，每个上电极缓冲柱上均设置一个上电极。本实用新型作为一种铁电薄膜电容。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容 | ||
【主权项】：
一种铁电薄膜电容，它包括硅基底层(1)，其特征在于，它还包括六个上电极(2)、六个上电极缓冲柱(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)和阻挡层(7)；所述铁电薄膜层(4)为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层(4)的厚度为400nm至480nm；硅基底层(1)上由下至上顺次粘接固定阻挡层(7)、下电极层(6)、下电极缓冲层(5)和铁电薄膜层(4)，铁电薄膜层(4)的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱(3)，每个上电极缓冲柱(3)上均设置一个上电极(2)。
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